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人民財訊4月17日電，4月17日，長電科技（600584）宣布成功完成基于玻璃通孔(TGV)結構與光敏聚酰亞胺(PSPI)再布線(RDL)工藝的晶圓級射頻集成無源器件(IPD)工藝驗證，通過測試結構的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢，為5g（885556）及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。