興業(yè)證券（601377）發(fā)布研報稱，隨著AI訓(xùn)練和推理對算力需求的快速增長，數(shù)據(jù)中心對HBM、大容量DDR5及企業(yè)級SSD的存儲需求快速增長，行業(yè)景氣度持續(xù)提升。此外，隨著海外逐步退出利基型存儲市場，供需持續(xù)緊張導(dǎo)致價格上漲，國內(nèi)利基存儲公司有望深度受益。
興業(yè)證券（601377）主要觀點如下：
需求端：AI推理需求爆發(fā)是存儲需求的主要驅(qū)動力
根據(jù)TrendForce，預(yù)計2026年八大主要CSP（CSPI）的合計資本支出將超越7,100億美元，同比增長約61%。若未來ai應(yīng)用（886108）爆發(fā)，企業(yè)盈利有望大幅提升，CSP（CSPI）在2027年之后依舊有望大幅提升資本開支。雖然存儲漲價對消費電子（881124）需求存在較大沖擊，但本輪周期（883436）是由AI數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商主導(dǎo)，AI推理需求爆發(fā)是存儲需求的主要驅(qū)動力，且AI對存儲需求拉動明顯高于消費電子（881124）下滑對存儲需求的影響。
供給端：2026年存儲原廠目前新建的產(chǎn)能相對有限，新增產(chǎn)能大部分在27H2釋放
NAND方面，2026年海外存儲大廠僅有鎧俠K2，三星西安X2產(chǎn)線、海力士清州M15等廠小幅擴產(chǎn)。DRAM方面，2026年僅有三星P4、海力士M15X等廠小幅擴產(chǎn)。資本開支方面，海外存儲大廠資本開支未來主要聚焦AI方向，例如HBM、DDR5以及企業(yè)級SSD，而消費電子（881124）已不再是未來資本開支的重心。
供需關(guān)系：預(yù)計供需緊張持續(xù)至2027年之后
NAND方面，該行測算2025-2027年，NAND總需求分別為988EB、1130EB、1501EB，NAND總供給分別為986EB、1071EB、1447EB，預(yù)計2026-2027年NAND供需缺口分別為-5.26%、-3.60%。DRAM方面，該行測算2025-2027年，DRAM總需求分別為40EB、52EB、69EB，DRAM總供給分別為41EB、48EB、68EB，2026-2027年DRAM供需缺口分別為-7.22%、-1.77%。
價格端：在AI強勁需求下，該行預(yù)計存儲價格上漲有望貫穿2026年全年
根據(jù)TrendForce最新存儲器價格調(diào)查，2026Q2因DRAM原廠積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、Server應(yīng)用，并采用“補漲”策略拉近各類產(chǎn)品價差，盡管終端市場面臨出貨下修風(fēng)險，預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價格仍將環(huán)比增長58-63%。NANDFlash市場持續(xù)由AI、數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo)，全產(chǎn)品線連鎖漲價的效應(yīng)不減，預(yù)計第二季整體合約價格將環(huán)比增長70-75%。海力士表示在AI客戶強勁需求的推動下，當(dāng)前的存儲價格上漲趨勢可能貫穿2026全年。
風(fēng)險提示：終端消費電子（881124）需求不及預(yù)期，資本開支不及預(yù)期，行業(yè)競爭格局加劇，行業(yè)技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期。
